压榨晶圆潜能：SanDisk推出48层3D NAND芯片

欲着力借此赶超三星。

32层结构已成昨日黄花。同志们，下面请鼓掌欢迎SanDIsk公司已进入实验性生产的48层3D NAND芯片！没错，就是这么回事，肆～拾～捌层高高的！

我们可以将其视为追赶三星公司的一项举措，毕竟后者目前已经开始推出第二代3D V-NAND芯片，其采用三层单元设计。戴尔方面将这些128 Gb晶粒应用到了自己的SC系列存储阵列当中，旨在以前所未有的低廉每GB使用成本水平实现闪存产品的大规模销售。

这款SanDisk芯片拥有256 Gb存储容量，相当于三星的二倍，且同样采用三层单元设计（简称TLC）。目前由代工合作伙伴东芝在其Yokkaichi代工厂负责实验性生产。

与三星的闪存芯片相比，SanDisk的层数为前者的二倍——48层结构相当于将两块2D NAND芯片摞在一起。

SanDisk公司表示其采用的是BiCS设计，且将“带来比传统2D NAND更出色的写入/擦除耐久性、写入速度与能源利用效率。”

这是因为它采用了较当前SanDisk与东芝16纳米芯片更大的光刻尺寸，从而提升了使用寿命水平。

我们认为其具体制程应该在24纳米至40纳米区间，不过SanDisk方面并没有公布具体数字。虽然每层存储容量低于16纳米2D芯片，但总体48层结构让其在同样的芯片尺寸之下实现了更为可观的空间上限。

此次实验性生产的目的在于对生产流程进行微调，同时探索出可以接受的芯片产能水平。正因为如此，目前该产品的具体上市日期为——未知。

我们预计三星方面也会在2016年年底甚至更早的时间点上生产出下一代48层V-NAND。

这意味着消费级及移动设备将轻松实现闪存容量倍增，这将帮助它们拥有更快的速度表现以及运行更为复杂的软件产品的能力。

企业级存储方案也将借此帮助热门数据找到更值得考量的闪存存储机制，也就是说应用程序运行速度更快、服务器执行效率更高。这些显然都是值得庆祝的好消息。

SanDisk公司的这款3D TLC芯片将于2016年年内正式投放市场。